9月14日消息，据韩国媒体 Asia Today 报道，半导体超差距竞争的主战场正从技术研发转向人才争夺战。三星电子为守住市场龙头地位，不得不着手保护核心人才；与此同时，美光、闪迪等全球竞争对手纷纷涌入韩国本土，争抢高带宽内存（HBM）与 NAND 闪存设计人才。谁能抢到足够多、能左右技术差距的核心人才，正成为下一代存储器市场的胜负关键。
据报道，美国 NAND 闪存与固态硬盘厂商闪迪（SanDisk）近期通过领英等全球商务平台，在韩国展开大规模工程师招聘。招聘岗位涵盖 NAND 系统架构、NAND 核心设计、固件工程、超大规模集成电路（VLSI）设计以及掩模设计等 NAND 开发核心职务，招聘范围从实习生到资深工程师，多数岗位要求至少五年从业经验，并将 HBM、LPDDR、GDDR 等主要内存开发经验列为优先资格条件。
值得注意的是，过去闪迪在韩国的业务主要集中在销售与市场营销领域，此番大规模技术招聘对其韩国公司而言是“非同寻常的业务转向”。韩国经济日报分析指出，闪迪加大在韩招聘力度的大背景是 AI 带动 NAND 闪存需求暴涨，AI 产业发展初期市场需求集中在用于模型训练的 DRAM 内存，而行业重心转向 AI 推理之后，NAND 存储的重要性持续提升，倒逼闪迪扩充技术人才储备。据悉，闪迪预计 2028 至 2030 财年营收将实现中高双位数百分比增长，调整后毛利率维持在约 80%。
在闪迪之前，美国存储巨头美光已率先在韩国布局人才争夺。美光通过领英平台向三星电子、SK 海力士等本土芯片企业的工程师抛出工作邀约，招聘职位为“资深 HBM 设计架构师”与“首席 HBM 设计架构师”，工作地点均设在首尔。
相关岗位聚焦下一代 HBM 产品的数字与模拟 DRAM 电路设计及分析，涵盖高速 DRAM 与混合信号电路的功耗、面积与速度优化，以及 HBM 产品的架构方向审查与功能验证。美光在招聘公告中明确表示，征才目标是“为人工智能、机器学习以及高性能运算开发下一代 HBM 解决方案”。
业界透露，若以美国标准估算，资深级年薪约在 1 亿至 1.5 亿韩元之间，首席级计入绩效薪酬后年薪最高可达约 3 亿韩元（约合 20 万美元），底薪之外另提供绩效奖金与股票酬劳。业界分析认为，美光提供无需承担迁往海外生活负担、直接在韩国本土工作的条件，是一种策略性诱因，目的是让三星电子与 SK 海力士的现职员工能够毫无顾虑地提出求职申请。
面对竞争对手的步步紧逼，三星电子正通过提高绩效奖金、扩大股权奖励予以应对。根据三星电子半年报，今年上半年总部员工为 129200 人，较去年同期小幅减少约 300 人，但员工薪酬总额从去年同期的 7.5013 万亿韩元增至 8.0121 万亿韩元，增幅约 6.8%。计入财报的“薪酬费用”涨幅更为显著，达到 25.7659 万亿韩元，约为去年同期的 3.1 倍，该口径包含当期计提入账的长期绩效奖金和股权奖励等各类激励，意味着账面人力成本正快速攀升。
在股权激励方面，三星今年上半年为“留住并激励优秀人才”，承诺向员工授予 1777305 股普通股，按协议签署当日公允价值计算，总价值 3705.68 亿韩元。部分股权已于上半年发放，剩余部分计划在 2028 年前陆续兑现。三星电子激励成本的重心，正从招募新人转向稳住现有人才。
与业务业绩挂钩的额外奖励也已提上日程。三星电子决定面向今年 DS 部门员工，发放相当于 2026 年一定比例经营业绩的限制性普通股，具体细则仍在协商，将在本年度最终经营业绩确定后发放。
三星面临的挑战不仅来自外部挖角，也来自内部。今年 5 月，三星电子工会通过 2026 年度薪资协议，为半导体（DS）部门新设“特别经营绩效奖”，奖金以半导体营业利润的 10.5%（全额股票形式）及 1.5%现金为资金来源，持续发放 10 年，总奖金池约达 266 亿美元。然而，负责手机、电视与家电的 DX 部门被完全排除在特别奖之外，获得的 600 万韩元股票与内存部门人均预期奖金相差超过百倍，引发内部强烈不满。有员工在内部聊天室转发竞争对手 SK 海力士的招聘链接，留言称“2026 大逃亡开始了”。
更早之前，英伟达、苹果等美国科技巨头已在韩国掀起针对三星和 SK 海力士工程师的“定向挖角”风暴。英伟达为 HBM 开发工程师开出起步年薪高达 258750 美元（约合 179 万元人民币），苹果为 NAND 产品工程师提供约 30.56 万美元年薪，联发科也以约 26 万美元寻找 HBM 工程师。据韩国半导体产业协会数据，韩国半导体专业人才缺口预计到 2030 年将达到 127000 人。
从美光、闪迪到英伟达、苹果，全球存储与芯片企业正将韩国视为获取核心研发人力的关键市场。三星电子薪酬与股权激励的全面加码，既是对外部挖角的直接回应，也折射出这家存储龙头在 AI 内存竞赛中面临的人才保卫战正进入白热化阶段。